Speaker
Mr
Alireza Abbasnia
(phd student)
Description
In this work, we have been considered accelerator which abilities to produce electrons with energies in the range of 1 GeV, to achieve the radiation spectra in Si(110) crystals in different thickness. For this purpose, by calculated the electrons dechanneling length in crystal and with solution Fokker-Plank equation, we can achieved a solution for electromagnetic radiation due to electrons in thick Si(110) crystals. The dynamics of particle distribution density has been investigated in dependence on two factors, Energy and initial scattering distribution of electron beams. The influence of dechanneling process on spectral intensity of channeling radiation for electrons in a crystal is investigated.
چکیده به فارسی
در این مقاله توانسته ایم با در نظر گرفتن شتابدهنده هایی که توانایی تولید الکترونهایی با انرژی 1 گیگا الکترون ولت هستند، میزان تابش کانالی را در بلور سیلیکون برای صفحه (110 در ضخامت های مختلف به دست آوریم. بدین منظور توانستیم طول کانال زنی استهلاکی الکترون ها را در بلور به دست آوریم و با حل معادله فوکر پلانک به راه حلی برای محاسبه طیف امواج الکترومغناطیسی ناشی از الکترون ها در ضخامت های مختلف سیلیکون (تابش کانالی) دست یابیم. دینامیک توزیع چگالی الکترون ها با توجه به دو عامل انرژی و توزیع پراکندگی اولیه الکترون ها مورد بررسی قرار داده ایم. تاثیر پدیده کانال زنی استهلاکی روی شدت طیف تابش کانالی در انتها مورد بحث قرار گرفته است.
| عنوان مقاله به فارسی | محاسبه طیف تابش کانالی ناشی از کانال زنی الکترونهای با انرژی 1 گیگا الکترون ولت در صفحات (110) بلور سیلیکون در ضخامت های مختلف |
|---|
Author
Mr
Hamid Shafeghat
(Phd student)
Co-authors
Mr
Alireza Abbasnia
(phd student)
Prof.
Saeed Mohammadi
(Professor)
Peer reviewing
Paper
Paper files:
