3–4 May 2017
Qazvin Islamic Azad University
Asia/Tehran timezone

Resistive pipe wall impedance and wake field with octagonal cross section

Not scheduled
15m
Allame Rafiee Conference Hall (Qazvin Islamic Azad University)

Allame Rafiee Conference Hall

Qazvin Islamic Azad University

Nokhbegan blvd. - Janbazan sq. - QAZVIN - IRAN
Poster Presentation Synchrotron Beamline Design

Speaker

Mrs Samira Massoudi (Urmia University)

Description

Study the electromagnetically interaction of beam with its surrounding is one of the most important stages in the storage ring design. Motion of the electron beam in the vacuum space with specified conductivity and variable cross section generate the electromagnetic fields that called wake fields. The wake field is one of the time dependent perturbations that disturb the electron orbits and, therefore, the quality of the photon beam is decreased. By considering the time of the presence of this perturbation in the surrounding of beam, one or multiple electron bunch was affected by their wake fields. The perturbation effect on the multiple electron bunch causes the instability in the storage ring of the light source. For this reason, the wake field, wake potential and impedance must be calculated. Here, we have calculated the resistive pipe wall impedance and wake potential in the ILSF storage ring with octagonal cross section, analytically. Resistive wall impedance and wake potential were also estimated with CST Studio Suite by simulating beam pipe with octagonal cross section.

چکیده (به فارسی)

مطالعه اندرکنش الکترومغناطیسی پرتو با محیط اطراف یکی از مهمترین مراحل طراحی حلقه انبارش می باشد. حرکت الکترون در داخل تیوب خلاء با رسانندگی مشخص و سطح مقطع متفاوت باعث ایجاد میدان های الکترومغناطیسی می شود که به آنها میدان های دنباله ای گفته می شود. میدان های دنباله ای نوعی از اختلال وابسته به زمان هستند که باعث ایجاد اختلال در مسیر حرکت الکترون¬ها شده و در نتیجه کیفیت پرتو الکترونی را کاهش می دهند. با توجه به زمان حضور این اختلال در داخل تیوب، یک یا چند دسته الکترونی تحت تأثیر این میدان¬های دنباله¬ای قرار می گیرند. تأثیر اختلال روی مجموعه ای از دسته های الکترونی باعث ایجاد ناپایداری در حقله انبارش چشمه نور می گردد. لذا برای رفع این ناپایداری ابتدا باید میدان دنباله¬ای، پتانسیل دنباله ای و امپدانس محاسبه گردد.
در این مقاله امپدانس و پتانسیل دنباله ای طولی و عرضی را برای تیوب با دیواره مقاوتی و سطح مقطع هشت ضلعی به صورت تحلیلی بدست می آوریم. همچنین با استفاده از نرم افزار CST
تیوب با سطح مقطع هشت ضلعی را شبیه سازی نموده و امپدانس و پتانسیل دنباله ای طولی و عرضی را تخمین می زنیم.

عنوان (به فارسی) امپدانس و میدان دنباله ای دیواره مقاومتی تیوب با سطح مقطع هشت ضلعی

Author

Dr Sohrab Aghaei (Urmia University)

Co-authors

Dr Mahdi Amniat-Talab (Urmia University) Mrs Samira Massoudi (Urmia University)

Presentation materials

There are no materials yet.